文献链接：浙江直接BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene.（Chem.Rev.118,18,9281-9343.DOI:10.1021/acs.chemrev.8b0032）【部分参考文献】[1] X.Li,W.Cai,L.Colombo,etal.Evolutionofgraphenegrowthonniandcubycarbonisotopelabeling[J].NanoLett,2009,9(12):4268-72.[2] W.Liu,S.Kraemer,D.Sarkar,etal.Controllableandrapidsynthesisofhigh-qualityandlarge-areabernalstackedbilayergrapheneusingchemicalvapordeposition[J].ChemMater,2014,26(2):907-15.[3] K.Yan,H.Peng,Y.Zhou,etal.Formationofbilayerbernalgraphene:Layer-by-layerepitaxyviachemicalvapordeposition[J].NanoLett,2011,11(3):1106-10.[4] L.Liu,H.Zhou,R.Cheng,etal.High-yieldchemicalvapordepositiongrowthofhigh-qualitylarge-areaab-stackedbilayergraphene[J].ACSNano,2012,6(9):8241-9.[5] Y.Hao,L.Wang,Y.Liu,etal.Oxygen-activatedgrowthandbandgaptunabilityoflargesingle-crystalbilayergraphene[J].NatureNanotechnology,2016,11(426).[6] T.Ma,Z.Liu,J.Wen,etal.Tailoringthethermalandelectricaltransportpropertiesofgraphenefilmsbygrainsizeengineering[J].NatureCommunications,2017,8(14486).[7] X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Graphenefilmswithlargedomainsizebyatwo-stepchemicalvapordepositionprocess[J].NanoLett,2010,10(11):4328-34.[8] H.Zhou,W.J.Yu,L.Liu,etal.Chemicalvapourdepositiongrowthoflargesinglecrystalsofmonolayerandbilayergraphene[J].NatureCommunications,2013,4(2096).[9] X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Large-areagraphenesinglecrystalsgrownbylow-pressurechemicalvapordepositionofmethaneoncopper[J].JAmChemSoc,2011,133(9):2816-9.[10] A.Mohsin,L.Liu,P.Liu,etal.Synthesisofmillimeter-sizehexagon-shapedgraphenesinglecrystalsonresolidifiedcopper[J].ACSNano,2013,7(10):8924-31.[11] J.-H.Lee,E.K.Lee,W.-J.Joo,etal.Wafer-scalegrowthofsingle-crystalmonolayergrapheneonreusablehydrogen-terminatedgermanium[J].Science,2014,344(6181):286-9.[12] L.Gao,W.Ren,H.Xu,etal.Repeatedgrowthandbubblingtransferofgraphenewithmillimetre-sizesingle-crystalgrainsusingplatinum[J].NatureCommunications,2012,3(699).[13] Z.Zhang,J.Du,D.Zhang,etal.Rosin-enabledultracleananddamage-freetransferofgrapheneforlarge-areaflexibleorganiclight-emittingdiodes[J].NatureCommunications,2017,8(14560).团队简介刘忠范中科院院士，浙江直接教授北京大学化学与分子工程学院个人简介北京大学博雅讲席教授（2016.11.21）、中国科学院院士（2011.12.10）、发展中国家科学院院士（2015.11）。
图16.松香无损转移石墨烯：年拟不同有机分子在石墨烯表面的吸附能相对地，无胶转移的方法可以有效地减少石墨烯转移过程中引入的污染物。第一步，安排使用尽量高的生长温度，安排低的甲烷气体分压进行生长，得到较低成核密度，然后提高第二步生长的甲烷气体分压，进而提高生长速度，得到大晶畴尺寸的石墨烯薄膜。
电力电量衬底的选择对于石墨烯的生长来说尤其重要。图5.金属-C相图与石墨烯在金属表面生长机制示意图反之，交易当使用低溶碳量的金属（代表金属为Cu）时，交易高温裂解产生的碳原子仅能吸附在金属表面，进而在表面迁移，成核并生长得到石墨烯薄膜。图3.石墨烯在金属表面的生长示意图在制备高质量石墨烯的过程中，亿千约6亿千往往需要引入氢气来促进碳源裂解，提高石墨烯的均匀性和质量。
目前为止无胶转移的方法主要是基于静电力或有效控制转移过程中的扰动和表面张力，瓦时瓦进而提高转移后的石墨烯的完整度。由于碳析出量很大程度上取决于溶解的碳浓度和降温速率，售电市场金属晶界处往往生成的石墨烯较厚，售电市场因此生长的石墨烯以多层为主，层数不均匀且可控性较差。
浙江直接2009年6月到北京大学工作至今。
根据AB堆垛双层石墨烯独特的电子结构特点可知，年拟当在其垂直方向上加上偏压后，石墨烯的带隙可以被打开，且其带隙大小可以进行有效地调节。本内容为作者独立观点，安排不代表材料人网立场。
电力电量同年获得化学领域和材料领域汤森路透高被引科学家奖以及最具国际引文影响力奖。温度的独特分布将抑制生长过程中的气相反应，交易从而确保获得清洁度得到改善的石墨烯。
1983年毕业于长春工业大学，亿千约6亿千1984年留学日本，1990年获东京大学博士，1990–1993年东京大学和国立分子科学研究所博士后。这些材料具有出色的集光和EnT特性，瓦时瓦这是通过掺杂低能红色发射铂的受体实现的。